반도체 다이오드의 DC 저항과 동적 저항을 어떻게 구분할 수 있나요?

반도체 다이오드의 저항이 전류와 전압에 따라 어떻게 변하는지를 이해하려면 두 가지 다른 유형의 저항을 구분해야 합니다. 저항의 두 가지 유형은 정적 저항과 동적 저항입니다. 동적 저항은 정적 저항보다 훨씬 더 가변적이므로 두 가지를 주의 깊게 구분해야 합니다.

제너 임피던스

반도체 다이오드의 제너 임피던스는 반도체 다이오드의 겉보기 저항을 측정한 값입니다. 입력의 리플과 소스 전류의 변화를 측정하여 계산됩니다. 예를 들어 소스 전류가 3~5밀리암페어에서 7밀리암페어로 변경되면 출력의 리플은 약 3.5밀리암페어가 됩니다. 제너 다이오드의 동적 저항은 14옴과 같습니다.

반도체 다이오드의 제너 임피던스의 고장은 역방향 바이어스 전압이 인가될 때 발생합니다. 이 전압에서 공핍 영역의 전기장은 원자가 밴드에서 전자를 끌어당길 수 있을 만큼 강합니다. 그러면 자유 전자는 모원자와의 결합을 끊습니다. 이것이 다이오드를 통해 전류가 흐르는 원인입니다.

벅 회로로 작업할 때 반도체 다이오드의 제너 임피던스는 중요한 파라미터입니다. 이는 단순한 벅 회로의 효율에 영향을 미칠 수 있습니다. 너무 높으면 다이오드가 작동하지 않을 수 있습니다. 이 경우 전류를 줄이는 것이 가장 좋습니다.

제너 효과는 다이오드의 전압이 5.5V 미만일 때 가장 두드러집니다. 더 높은 전압에서는 애벌런치 고장이 주요 효과가 됩니다. 두 현상은 반대되는 열 특성을 가지고 있지만 제너 다이오드가 6볼트에 가까울 경우 매우 우수한 성능을 발휘할 수 있습니다.